• 为什么我测试的合科泰HT7550-1静态电流这么高
• 这是原理图万用表串在12V输入处，测试出的电流是2.45mA，和说明书上面的2-3uA相差很远，5V输出没有接任何元件。
• 所属专栏： 技术交流 标签： 提问 静态电流 7550 发帖人：小兵GTS 发帖时间：2024-04-16 14:44:00

• 关于专业版的开始页--最近设计栏的问题
• 专业版的开始页--最近设计栏内容能不能手动清理?
• 所属专栏： 原理图设计 标签： 提问 发帖人：necdea 发帖时间：2023-07-24 09:18:00

• 关于专业版的分屏和泪滴
• 1)专业版无分屏功能吗?(例--电路图和pcb在两个显示器里分开显示)2)T性连线里不能加泪滴吗?
• 所属专栏： 原理图设计 标签： 提问 发帖人：necdea 发帖时间：2023-05-29 14:39:00

• 0603的焊盘焊0402元器件可以吗？
• 0603的焊盘焊0402元器件可以吗？会有什么问题吗？
• 所属专栏： 技术交流 标签： 提问 发帖人：弗兰奇森 发帖时间：2023-01-09 10:55:00

• 自制PCB要咋过孔啊！！！
• 我都要被逼疯了！！不想去立创打板，自制电路板又没法过孔，这可怎么办？谁能帮帮我，怎么在家做过孔？球球你们了！
• 所属专栏： 技术交流 标签： pcb，diy，制作，提问 发帖人：小学生级别的小学生 发帖时间：2022-07-21 07:19:00

• 低压差的LED线性恒流驱动器【惠海H7301】是一款低静态电流、电流可扩展到3.0
• 1.品牌名称：惠海半导体2方案特点：H7301是一款高精度降压型LED线笥恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于2.5V-24V全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。H7301芯片内部集成500V功率开关，采用退磁检测技术和高压JFET供电技术，无需VCC电容和启动电阻，使其外围器件更简单，节约了外围的成本和体积。H7301芯片内置高精度的电流采样电路，同时采用了恒流控制技术，实现高精度的LED恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模式，输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。H7301具有多重保护功能，包括LED短路保护，芯片...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 低压差，线性恒流，低静态 发帖人：ruisir 发帖时间：2020-11-24 11:37:00

• 低压差线性恒流IC低压灯带零压降恒流芯片-低静态电流高效率
• H7306是一种带PWM调光功能的线性降压LED恒流驱动器，仅需外接一个电阻和一个NMOS管就可以构成一个完整的LED恒流驱动电路，调节该外接电阻就可以调节输出电流，输出电流可调范围为10mA到2000mA。H7306内置过热保护功能，可有效保护芯片及MOS管，避免因过热而造成损坏。H7306具有很低的静态电流，典型值为49uA。H7306带PWM调光功能，可通过在DIM脚加PWM信号调节LED电流。H7306采用ESOP-8无铅环保封装特点：1、电源电压：2.5V~48V2、低静态电流：49uA3、输出电流：10mA到2000mA4、PWM调光：高频率10KHz5、输出电流精度：优于±4%...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 低压差，线性，恒流，低静态电流，高效率 发帖人：ruisir 发帖时间：2020-11-24 11:11:00

• 静态SDRAM和动态SDRAM的区别
• SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM相比，可以有一个更复杂的操作模式。下面宇芯电子介绍关于静态SDRAM和动态SDRAM的区别。静态记忆假设我们要将16Mb存储器连接到FPGA。16Mb表示内存可容纳1600万位（准确地说是16777216位）。现在，很少对比特进行单独寻址，而是通常以8或16的数据包（我们称其为字）进行寻址。因此，如果我们的16Mb存储器被组织为16位的1M字，则需要20位地址总线和16位数据总线，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 静态SDRAM,动态SDRAM,SDRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-24 13:48:00

• 存储单元结构分类
• 静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元的面积变得尤为重要。在存储器中有大量的存储元，把它们按相同的位划分为组，组内所有的存储元同时进行读出或写入操作，这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可以存放一个字节；存储单元是CPU访问存储器的基本单位.从结构上分，CMOSSRAM存储单元有电阻-晶体管结构（4T-2R存储单元）和静态六管全互补结构（6T存储单元）。图14T-...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 静态RAM,SRAM,CMOS SRAM,存储单元 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-30 16:59:00

• 静态随机存储SRAM工艺
• 基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器，因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程，不需要增添任何额外的工艺步骤。如图1a中所示的那样，基本交织耦合锁存器和有源负载单元组成了6T存储单元，这种单元可以用于容量从数位到几兆位的存储器阵列。经过精心设计的这种存储器阵列可以满足许多不同的性能要求，具体要求取决于设计师是否选用针对高性能或低功率优化过的CMOS工艺。高性能工艺生产的SRAM块的存取时间在130nm工艺时可以轻松低于5ns，而低功率工艺生产的存储器块的存取时间一-般要大于10ns。存储单元的静态特性...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 静态随机存储SRAM,SRAM,SRAM工艺 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-02 16:26:00